MOSFET管的控制极与输出极

MOSFET管的控制极与输出极是由沟道连接的，而沟道的宽度是由栅极上的电压控制的，栅极位于源极和漏极之间，并与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘 。MOSFET的种类有P沟道和N沟道，其中P沟道MOSFET具有位于源极端子和漏极端子之间的P沟道区域，而N沟道MOSFET则没有 。

在MOSFET的开启和关闭过程中，电压和电流都会有一个变化的过程，称为开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大 。

MOSFET的结构主要由三个部分组成：源极、漏极和栅极。其中，源极和漏极是重掺杂的p +区或n +区，而栅极是由金属氧化膜和金属电极组成的 。在MOSFET的工作原理中，当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道，此时MOSFET处于耗尽型；而当N沟道器件的栅极电压大于零时才存在导电沟道，此时MOSFET处于增强型 。

MOSFET的开启和关闭过程中，一定会经过放大区。因此，MOSFET在这个区域特别危险，坏的最多。三极管和MOSFET从关断到完全饱和导通的过程中，中间必然会经过放大区。因此，为了减少功耗，需要缩短放大区的时间 。

总结：

1、MOSFET管的控制极与输出极是由沟道连接的，而沟道的宽度是由栅极上的电压控制的。

2、MOSFET的种类有P沟道和N沟道，其中P沟道MOSFET具有位于源极端子和漏极端子之间的P沟道区域，而N沟道MOSFET则没有。

3、MOSFET的结构主要由三个部分组成：源极、漏极和栅极。在MOSFET的工作原理中，当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道，此时MOSFET处于耗尽型；而当N沟道器件的栅极电压大于零时才存在导电沟道，此时MOSFET处于增强型。

4、MOSFET的开启和关闭过程中，一定会经过放大区，因此为了减少功耗，需要缩短放大区的时间。